IXFH32N50Q

制造商编号:
IXFH32N50Q
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
规格说明书:
IXFH32N50Q说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 160 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 190 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4925 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD(IXFH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
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IXFH32N50Q

型号:IXFH32N50Q

品牌:IXYS艾赛斯

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