库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.622178 | ￥35.62 |
| 10 | ￥31.967952 | ￥319.68 |
| 100 | ￥26.191688 | ￥2619.17 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 172 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 10700 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 158W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerFlat™（5x6）双面 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 标准包装: | 2,500 |
STLD200N4F6AG
型号：STLD200N4F6AG
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
库存：0
单价：
| 1+： | ￥35.622178 |
| 10+： | ￥31.967952 |
| 100+： | ￥26.191688 |
| 500+： | ￥22.296624 |
| 1000+： | ￥21.368694 |
| 2500+： | ￥21.368694 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.62