IRF7351TRPBF

制造商编号:
IRF7351TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
规格说明书:
IRF7351TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.998495 19.00
10 17.053885 170.54
100 13.709379 1370.94

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.8 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330pF @ 30V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 4,000

客服

购物车

IRF7351TRPBF

型号:IRF7351TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥18.998495
10+: ¥17.053885
100+: ¥13.709379
500+: ¥11.263521
1000+: ¥10.727261
4000+: ¥10.727261

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥19.00