SI7223DN-T1-GE3

制造商编号:
SI7223DN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
规格说明书:
SI7223DN-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.583146 8.58
10 7.668978 76.69
100 5.979934 597.99

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET® Gen III
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26.4 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1425pF @ 15V
功率 - 最大值: 2.6W(Ta),23W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 双
标准包装: 3,000

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SI7223DN-T1-GE3

型号:SI7223DN-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

库存:0

单价:

1+: ¥8.583146
10+: ¥7.668978
100+: ¥5.979934
500+: ¥4.939925
1000+: ¥3.89994
3000+: ¥3.89994

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