CSD83325LT

制造商编号:
CSD83325LT
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
规格说明书:
CSD83325LT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.122731 12.12
10 10.809746 108.10
25 10.259187 256.48

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 2.3W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFBGA
供应商器件封装: 6 PicoStar
标准包装: 250

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
EFC6605R-TR onsemi ¥3.38000 类似
EFC6604R-TR onsemi ¥0.89194 类似

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型号:CSD83325LT

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR

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1+: ¥12.122731
10+: ¥10.809746
25+: ¥10.259187
100+: ¥8.427847
250+: ¥7.87786
500+: ¥6.96173
1000+: ¥6.049243

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