货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.122731 | ¥12.12 |
10 | ¥10.809746 | ¥108.10 |
25 | ¥10.259187 | ¥256.48 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.25V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10.9nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 2.3W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-XFBGA |
供应商器件封装: | 6 PicoStar |
标准包装: | 250 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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EFC6605R-TR | onsemi | ¥3.38000 | 类似 |
EFC6604R-TR | onsemi | ¥0.89194 | 类似 |
CSD83325LT
型号:CSD83325LT
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
库存:0
单价:
1+: | ¥12.122731 |
10+: | ¥10.809746 |
25+: | ¥10.259187 |
100+: | ¥8.427847 |
250+: | ¥7.87786 |
500+: | ¥6.96173 |
1000+: | ¥6.049243 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.12