- 制造商编号：
- TSM80N950CP ROG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
- 规格说明书：
- TSM80N950CP ROG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥56.90845 | ￥56.91 |
| 10 | ￥51.144247 | ￥511.44 |
| 100 | ￥41.907348 | ￥4190.73 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 950 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 19.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 691 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 110W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK5P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥13.59000 | 类似 |
| STD7N65M2 | STMicroelectronics | ¥12.52000 | 类似 |
TSM80N950CP ROG
型号：TSM80N950CP ROG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
库存：0
单价：
| 1+： | ￥56.90845 |
| 10+： | ￥51.144247 |
| 100+： | ￥41.907348 |
| 500+： | ￥35.674797 |
| 1000+： | ￥30.087138 |
| 2500+： | ￥29.305651 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥56.91