1N5227B A0G

制造商编号:
1N5227B A0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
规格说明书:
1N5227B A0G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 带盒(TB)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 带盒(TB)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.6 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 24 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 15 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 100°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N747A-1 WEC ¥15.89752 类似
1N5228B TR PBFREE Central Semiconductor Corp ¥3.76000 类似
1N5227BTR onsemi ¥1.23000 直接
BZX55C3V6-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似
1N5228B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.92000 类似

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1N5227B A0G

型号:1N5227B A0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

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