库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.548982 | ￥9.55 |
| 10 | ￥8.402607 | ￥84.03 |
| 100 | ￥6.441708 | ￥644.17 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 250 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 190pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 标准包装: | 4,000 |
IRF9953TRPBF
型号：IRF9953TRPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
库存：0
单价：
| 1+： | ￥9.548982 |
| 10+： | ￥8.402607 |
| 100+： | ￥6.441708 |
| 500+： | ￥5.092243 |
| 1000+： | ￥4.24354 |
| 4000+： | ￥4.24354 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.55