IRFI640G

制造商编号:
IRFI640G
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
规格说明书:
IRFI640G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 5.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 40W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
标准包装: 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
IRFI640GPBF Vishay Siliconix ¥20.12000 直接

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IRFI640G

型号:IRFI640G

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3

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