货期: 国内(1~2天)
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥38.096458 | ¥38.10 |
10 | ¥34.203508 | ¥342.04 |
100 | ¥28.026883 | ¥2802.69 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | STripFET™ II |
封装/外壳: | TO-220-3 |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 110A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10.5 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 233 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5200 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 312W(Tc) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220 |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥21.27000 | 类似 |
IPP126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥13.82000 | 类似 |
FDP120N10 | onsemi | ¥18.74000 | 类似 |
HUF75542P3 | onsemi | ¥26.88000 | 类似 |
PSMN013-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥16.51000 | 类似 |
STP120NF10
型号:STP120NF10
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
库存:19963
单价:
1+: | ¥38.096458 |
10+: | ¥34.203508 |
100+: | ¥28.026883 |
500+: | ¥23.858952 |
1000+: | ¥22.865907 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥38.10