货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥10.771677 | ¥10.77 |
10 | ¥9.594202 | ¥95.94 |
100 | ¥7.480103 | ¥748.01 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.3V @ 10µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 660 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 11.5W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 6-PQFN(2x2) |
封装/外壳: | 6-VDFN 裸露焊盘 |
标准包装: | 4,000 |
IRL60HS118
型号:IRL60HS118
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
库存:0
单价:
1+: | ¥10.771677 |
10+: | ¥9.594202 |
100+: | ¥7.480103 |
500+: | ¥6.17909 |
1000+: | ¥5.420308 |
4000+: | ¥5.420308 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.77