库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.362478 | ￥9.36 |
| 2500 | ￥7.663207 | ￥19158.02 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | SuperMESH3™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8 欧姆 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 140 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 27W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFR1N60ATRLPBF | Vishay Siliconix | ¥12.44000 | 类似 |
STD1HN60K3
型号：STD1HN60K3
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥9.362478 |
| 2500+： | ￥7.663207 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.36