IXA30PG1200DHG-TRR

制造商编号:
IXA30PG1200DHG-TRR
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
规格说明书:
IXA30PG1200DHG-TRR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
200 130.433185 26086.64

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 43 A
功率 - 最大值: 150 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.2V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值): 2.1 mA
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 9-SMD 模块
供应商器件封装: ISOPLUS-SMPD™.B
标准包装: 200

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IXA30PG1200DHG-TRR

型号:IXA30PG1200DHG-TRR

品牌:IXYS艾赛斯

描述:IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD

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200+: ¥130.433185

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