DMN3023L-7

制造商编号:
DMN3023L-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
规格说明书:
DMN3023L-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.590559 3.59
10 2.897524 28.98
100 1.974921 197.49

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 873 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 900mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PMV20ENR Nexperia USA Inc. ¥3.00000 类似

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型号:DMN3023L-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

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10+: ¥2.897524
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