FF1200R17KE3NOSA1

制造商编号:
FF1200R17KE3NOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
规格说明书:
FF1200R17KE3NOSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2 16225.535311 32451.07

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: -
配置: 单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V
功率 - 最大值: 595000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.45V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 110 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
标准包装: 2

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FF1200R17KE3NOSA1

型号:FF1200R17KE3NOSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT MODULE VCES 1700V 1200A

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