库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.795383 | ￥14.80 |
| 10 | ￥13.27025 | ￥132.70 |
| 100 | ￥10.665442 | ￥1066.54 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSVIII-H |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.8 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 33 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2800 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.6W（Ta），61W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOP Advance（5x5） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 5,000 |
TPH8R80ANH,L1Q
型号：TPH8R80ANH,L1Q
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
库存：0
单价：
| 1+： | ￥14.795383 |
| 10+： | ￥13.27025 |
| 100+： | ￥10.665442 |
| 500+： | ￥8.762423 |
| 1000+： | ￥7.260293 |
| 2000+： | ￥6.827864 |
| 5000+： | ￥6.827864 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.80