SPP07N65C3HKSA1

制造商编号:
SPP07N65C3HKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
规格说明书:
SPP07N65C3HKSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 790 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FCP600N60Z onsemi ¥14.82000 类似
STP11NM60 STMicroelectronics ¥34.10000 类似
IRFBC30APBF Vishay Siliconix ¥24.65000 类似

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SPP07N65C3HKSA1

型号:SPP07N65C3HKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3

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