货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥12.60764 | ¥12.61 |
10 | ¥11.305845 | ¥113.06 |
100 | ¥8.817142 | ¥881.71 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 980 毫欧 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 15 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 250 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 20W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | CPT3 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
R6004ENDTL
型号:R6004ENDTL
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
库存:0
单价:
1+: | ¥12.60764 |
10+: | ¥11.305845 |
100+: | ¥8.817142 |
500+: | ¥7.284008 |
1000+: | ¥5.750613 |
2500+: | ¥5.367236 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.61