库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 剪切带（CT）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.114895 | ￥4.11 |
| 10 | ￥3.081042 | ￥30.81 |
| 100 | ￥1.91884 | ￥191.88 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 11 pF @ 3 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 150mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | ES6 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装: | 4,000 |
SSM6P16FE(TE85L,F)
型号：SSM6P16FE(TE85L,F)
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.114895 |
| 10+： | ￥3.081042 |
| 100+： | ￥1.91884 |
| 500+： | ￥1.312754 |
| 1000+： | ￥1.00987 |
| 2000+： | ￥0.90889 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.11