库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥7.572902 | ￥18932.26 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| FET 类型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 33 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 35nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1700pF @ 16V |
| 功率 - 最大值: | 750mW |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 标准包装: | 2,500 |
NVMD6P02R2G
型号：NVMD6P02R2G
品牌：ON安森美
描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
库存：0
单价：
| 2500+： | ￥7.572902 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00