库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥34.138807 | ￥34.14 |
| 3000 | ￥28.787506 | ￥86362.52 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | MDmesh™ II |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.7A（Ta），19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 185 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 60 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1800 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125mW（Ta），3W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerFlat™（8x8）HV |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCMT199N60 | onsemi | ¥23.96000 | 类似 |
STL26NM60N
型号：STL26NM60N
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
库存：0
单价：
| 1+： | ￥34.138807 |
| 3000+： | ￥28.787506 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥34.14