NGTD8R65F2SWK

制造商编号:
NGTD8R65F2SWK
制造商:
ON安森美
描述:
DIODE GEN PURP 650V DIE
规格说明书:
NGTD8R65F2SWK说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): -
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.8 V @ 30 A
速度: -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
工作温度 - 结: 175°C(最大)
标准包装: 1

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NGTD8R65F2SWK

型号:NGTD8R65F2SWK

品牌:ON安森美

描述:DIODE GEN PURP 650V DIE

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