货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.694675 | ¥12.69 |
10 | ¥11.391637 | ¥113.92 |
100 | ¥8.878191 | ¥887.82 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 47 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2230 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 900mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerDI3333-8 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
标准包装: | 3,000 |
DMP3008SFGQ-13
型号:DMP3008SFGQ-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
库存:0
单价:
1+: | ¥12.694675 |
10+: | ¥11.391637 |
100+: | ¥8.878191 |
500+: | ¥7.334041 |
1000+: | ¥5.790052 |
3000+: | ¥5.404003 |
6000+: | ¥5.26364 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.69