PHB73N06T,118

制造商编号:
PHB73N06T,118
制造商:
NXP恩智浦
描述:
MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK
规格说明书:
PHB73N06T,118说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: TrenchMOS™
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 73A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 54 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2464 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 166W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor ¥12.44000 类似
IRFZ44ZSTRRPBF Infineon Technologies ¥15.21000 类似
IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies ¥13.98000 类似
BUK9616-75B,118 Nexperia USA Inc. ¥13.36000 类似
IRLZ44ZSTRLPBF Infineon Technologies ¥13.36000 类似

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PHB73N06T,118

型号:PHB73N06T,118

品牌:NXP恩智浦

描述:MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK

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