库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 300 | ￥74.889593 | ￥22466.88 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | GenX3™, XPT™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 200 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.3V @ 15V，36A |
| 功率 - 最大值: | 600 W |
| 开关能量: | 720µJ（开），330µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 64 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 24ns/62ns |
| 测试条件: | 360V，36A，5 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | TO-247（IXXH） |
| 标准包装: | 30 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
| APT60GT60BRG | Microchip Technology | ¥95.53000 | 类似 |
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | ¥43.01000 | 类似 |
| STGW60V60DF | STMicroelectronics | ¥44.16000 | 类似 |
| NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
IXXH50N60C3
型号：IXXH50N60C3
品牌：IXYS艾赛斯
描述：IGBT 600V 100A 600W TO247AD
库存：0
单价：
| 300+： | ￥74.889593 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00