DMN22M5UFG-7

制造商编号:
DMN22M5UFG-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
规格说明书:
DMN22M5UFG-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.691065 8.69
10 7.639185 76.39
100 5.86019 586.02

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 99 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±12V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 600mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 2,000

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DMN22M5UFG-7

型号:DMN22M5UFG-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333

库存:0

单价:

1+: ¥8.691065
10+: ¥7.639185
100+: ¥5.86019
500+: ¥4.632176
1000+: ¥3.705751
2000+: ¥3.358357

货期:1-2天

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