库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.294753 | ￥18.29 |
| 10 | ￥16.439061 | ￥164.39 |
| 100 | ￥13.212915 | ￥1321.29 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 30 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 668pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 65W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装: | PowerFlat™（5x6） |
| 标准包装: | 3,000 |
STL8DN6LF3
型号：STL8DN6LF3
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
库存：0
单价：
| 1+： | ￥18.294753 |
| 10+： | ￥16.439061 |
| 100+： | ￥13.212915 |
| 500+： | ￥10.85532 |
| 1000+： | ￥9.868509 |
| 3000+： | ￥9.868509 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.29