库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.137547 | ￥41.14 |
| 10 | ￥36.9668 | ￥369.67 |
| 100 | ￥30.290526 | ￥3029.05 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | M |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 16 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 32 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.3V @ 15V，8A |
| 功率 - 最大值: | 167 W |
| 开关能量: | 390µJ（开），370µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 32 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 20ns/126ns |
| 测试条件: | 600V，8A，33 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 103 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
STGW8M120DF3
型号：STGW8M120DF3
品牌：ST意法半导体
描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥41.137547 |
| 10+： | ￥36.9668 |
| 100+： | ￥30.290526 |
| 500+： | ￥25.785845 |
| 1000+： | ￥24.712644 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.14