货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥41.137547 | ¥41.14 |
10 | ¥36.9668 | ¥369.67 |
100 | ¥30.290526 | ¥3029.05 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | M |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 16 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 32 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.3V @ 15V,8A |
功率 - 最大值: | 167 W |
开关能量: | 390µJ(开),370µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 32 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 20ns/126ns |
测试条件: | 600V,8A,33 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 103 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
供应商器件封装: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
STGW8M120DF3
型号:STGW8M120DF3
品牌:ST意法半导体
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
库存:0
单价:
1+: | ¥41.137547 |
10+: | ¥36.9668 |
100+: | ¥30.290526 |
500+: | ¥25.785845 |
1000+: | ¥24.712644 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.14