1N4006-N-2-1-BP

制造商编号:
1N4006-N-2-1-BP
制造商:
MCC美微科
描述:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41
规格说明书:
1N4006-N-2-1-BP说明书

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货期: 8周-10周

封装: 带盒(TB)

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规格参数

属性 参数值
制造商: MCC(美微科)
系列: -
包装: 带盒(TB)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N4006GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.99000 升级
1N4006RLG onsemi ¥2.38000 类似
NRVA4006T3G onsemi ¥3.23000 类似
UF4006-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.53000 类似
UF4006-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.07000 类似

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1N4006-N-2-1-BP

型号:1N4006-N-2-1-BP

品牌:MCC美微科

描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

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