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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | POWER MOS 7® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 配置: | 单路 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 64 A |
| 功率 - 最大值: | 284 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 3.9V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 350 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 3.24 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | ISOTOP |
| 供应商器件封装: | ISOTOP® |
| 标准包装: | 1 |
APT35GP120JDQ2
型号：APT35GP120JDQ2
品牌：Microchip微芯
描述：IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
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