RW1A013ZPT2R

制造商编号:
RW1A013ZPT2R
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
规格说明书:
RW1A013ZPT2R说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.774491 4.77
10 3.838243 38.38
100 2.615401 261.54

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 400mW(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WEMT
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
标准包装: 8,000

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RW1A013ZPT2R

型号:RW1A013ZPT2R

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT

库存:0

单价:

1+: ¥4.774491
10+: ¥3.838243
100+: ¥2.615401
500+: ¥1.961271
1000+: ¥1.470854
2000+: ¥1.348309

货期:1-2天

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