货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥2.486714 | ¥2.49 |
10 | ¥2.034132 | ¥20.34 |
100 | ¥1.077991 | ¥107.80 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | π-MOSVI |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 12 欧姆 @ 10mA,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.7V @ 100µA |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 9.1 pF @ 3 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 150mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | USM |
封装/外壳: | SC-70,SOT-323 |
标准包装: | 3,000 |
SSM3J15FU,LF
型号:SSM3J15FU,LF
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET P-CH 30V 100MA USM
库存:0
单价:
1+: | ¥2.486714 |
10+: | ¥2.034132 |
100+: | ¥1.077991 |
500+: | ¥0.708888 |
1000+: | ¥0.482099 |
3000+: | ¥0.434839 |
6000+: | ¥0.378117 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.49