- 制造商编号：
- CP398X-CTLDM303N-WN
- 制造商：
- Central美国中央
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
- 规格说明书：
- CP398X-CTLDM303N-WN说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Central(美国中央) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 78 毫欧 @ 1，8A，2，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | 12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 590 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 标准包装: | 1 |
CP398X-CTLDM303N-WN
型号：CP398X-CTLDM303N-WN
品牌：Central美国中央
描述：MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
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