IRF7103PBF

制造商编号:
IRF7103PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
规格说明书:
IRF7103PBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF @ 25V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 3,800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated ¥16.20000 类似
FQS4903TF onsemi ¥13.82000 类似

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型号:IRF7103PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

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