- 制造商编号：
- IPAN60R650CEXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
- 规格说明书：
- IPAN60R650CEXKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 500 | ￥7.761922 | ￥3880.96 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 650 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 20.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 440 pF @ 100 V |
| FET 功能: | 超级结 |
| 功率耗散（最大值）: | 28W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO220-FP |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 标准包装: | 500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDPF10N60ZUT | onsemi | ¥22.73000 | 类似 |
| TK8A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥19.28000 | 类似 |
IPAN60R650CEXKSA1
型号：IPAN60R650CEXKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
库存：0
单价：
| 500+： | ￥7.761922 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00