FESB16DT-E3/81

制造商编号:
FESB16DT-E3/81
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
规格说明书:
FESB16DT-E3/81说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.282662 17.28
10 15.488498 154.88
100 12.450853 1245.09

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 16A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 975 mV @ 16 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 175pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
标准包装: 800

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FESB16DT-E3/81

型号:FESB16DT-E3/81

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB

库存:0

单价:

1+: ¥17.282662
10+: ¥15.488498
100+: ¥12.450853
800+: ¥10.229409
1600+: ¥8.768067

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥17.28