IPW60R040CFD7XKSA1

制造商编号:
IPW60R040CFD7XKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
规格说明书:
IPW60R040CFD7XKSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 119.046978 119.05
10 107.55719 1075.57
100 89.047345 8904.73

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 24.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1.25mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 109 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4354 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 227W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SIHG73N60AE-GE3 Vishay Siliconix ¥92.39000 类似

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IPW60R040CFD7XKSA1

型号:IPW60R040CFD7XKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3

库存:0

单价:

1+: ¥119.046978
10+: ¥107.55719
100+: ¥89.047345
500+: ¥83.377499

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