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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 16 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.6A（Ta），51A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.75 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 963 pF @ 12 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.2W（Ta），34.9W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | I-PAK |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装: | 75 |
NTD3813N-1G
型号：NTD3813N-1G
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
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