库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.506367 | ￥10.51 |
| 10 | ￥9.386102 | ￥93.86 |
| 100 | ￥7.315167 | ￥731.52 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | QFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.7 欧姆 @ 950mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 235 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta），44W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | I-PAK |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装: | 5,040 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STU2N80K5 | STMicroelectronics | ¥8.52000 | 类似 |
| STU2N62K3 | STMicroelectronics | ¥11.67000 | 类似 |
| IRFUC20PBF | Vishay Siliconix | ¥11.83000 | 类似 |
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | ¥10.98000 | 类似 |
FQU2N60CTU
型号：FQU2N60CTU
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥10.506367 |
| 10+： | ￥9.386102 |
| 100+： | ￥7.315167 |
| 500+： | ￥6.042889 |
| 1000+： | ￥5.059779 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.51