DN1509N8-G

制造商编号:
DN1509N8-G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
规格说明书:
DN1509N8-G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.662936 8.66
25 7.125493 178.14
100 6.547812 654.78

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 90 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 欧姆 @ 200mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF @ 25 V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-243AA(SOT-89)
封装/外壳: TO-243AA
标准包装: 2,000

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DN1509N8-G

型号:DN1509N8-G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA

库存:0

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1+: ¥8.662936
25+: ¥7.125493
100+: ¥6.547812
2000+: ¥6.547835

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