货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥16.325277 | ¥16.33 |
10 | ¥14.695236 | ¥146.95 |
100 | ¥11.812513 | ¥1181.25 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 9.8 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 11.1 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1770 pF @ 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.1W(Ta),77W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-VSONP(5x6) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 250 |
CSD18534Q5AT
型号:CSD18534Q5AT
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
库存:0
单价:
1+: | ¥16.325277 |
10+: | ¥14.695236 |
100+: | ¥11.812513 |
250+: | ¥11.09159 |
500+: | ¥9.705147 |
1000+: | ¥8.822861 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.33