货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥16.710718 | ¥16.71 |
10 | ¥14.962558 | ¥149.63 |
100 | ¥11.667786 | ¥1166.78 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道互补型 |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.1A,3.2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 55 毫欧 @ 5.1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.4V @ 110µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 419pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 2.5W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装: | PG-TSDSON-8 |
标准包装: | 5,000 |
BSZ215CHXTMA1
型号:BSZ215CHXTMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
库存:0
单价:
1+: | ¥16.710718 |
10+: | ¥14.962558 |
100+: | ¥11.667786 |
500+: | ¥9.638305 |
1000+: | ¥8.454616 |
5000+: | ¥8.454616 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.71