STGD3NC120H-1

制造商编号:
STGD3NC120H-1
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 1200V 16A IPAK
规格说明书:
STGD3NC120H-1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V @ 15V,3A
功率 - 最大值: 105 W
开关能量: 236µJ(开),290µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 24 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 15ns/118ns
测试条件: 800V,3A,10 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装: IPAK(TO-251)
标准包装: 3,000

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STGD3NC120H-1

型号:STGD3NC120H-1

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 1200V 16A IPAK

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