IXTT12N150HV

制造商编号:
IXTT12N150HV
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
规格说明书:
IXTT12N150HV说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 525.741074 525.74
10 493.860157 4938.60
100 442.87879 44287.88

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 106 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3720 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 890W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-268AA
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装: 30

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IXTT12N150HV

型号:IXTT12N150HV

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 1500V 12A TO268

库存:0

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1+: ¥525.741074
10+: ¥493.860157
100+: ¥442.87879

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