SH8M31GZETB

制造商编号:
SH8M31GZETB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
规格说明书:
SH8M31GZETB说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 15.490697 15.49
10 13.883495 138.83
100 11.15752 1115.75

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65mOhm @ 4.5A,10V,70mOhm @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7nC @ 5V,40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF @ 10V,2500pF @ 10V
功率 - 最大值: 2W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
标准包装: 2,500

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SH8M31GZETB

型号:SH8M31GZETB

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO

库存:0

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1+: ¥15.490697
10+: ¥13.883495
100+: ¥11.15752
500+: ¥9.166914
1000+: ¥7.595434
2500+: ¥7.143047

货期:1-2天

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