货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥15.490697 | ¥15.49 |
10 | ¥13.883495 | ¥138.83 |
100 | ¥11.15752 | ¥1115.75 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.5A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 65mOhm @ 4.5A,10V,70mOhm @ 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 7nC @ 5V,40nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 500pF @ 10V,2500pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 2W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOP |
标准包装: | 2,500 |
SH8M31GZETB
型号:SH8M31GZETB
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
库存:0
单价:
1+: | ¥15.490697 |
10+: | ¥13.883495 |
100+: | ¥11.15752 |
500+: | ¥9.166914 |
1000+: | ¥7.595434 |
2500+: | ¥7.143047 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.49