IXTP12N70X2M

制造商编号:
IXTP12N70X2M
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 700V 12A TO220
规格说明书:
IXTP12N70X2M说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
50 37.684683 1884.23

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Ultra X2
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 960 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 40W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220 隔离的标片
封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STP18N65M2 STMicroelectronics ¥23.35000 类似

客服

购物车

IXTP12N70X2M

型号:IXTP12N70X2M

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 700V 12A TO220

库存:0

单价:

50+: ¥37.684683

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00