货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥14.795948 | ¥14.80 |
10 | ¥13.272836 | ¥132.73 |
100 | ¥10.347217 | ¥1034.72 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A (Tc),18A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 12 毫欧 @ 10A,10V,52.6 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30nC @ 10V,45nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1650pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 34W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 双 |
标准包装: | 3,000 |
SQJ560EP-T1_GE3
型号:SQJ560EP-T1_GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
库存:0
单价:
1+: | ¥14.795948 |
10+: | ¥13.272836 |
100+: | ¥10.347217 |
500+: | ¥8.547632 |
1000+: | ¥6.748221 |
3000+: | ¥6.748158 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.80