NSVBAS21HT1G

制造商编号:
NSVBAS21HT1G
制造商:
ON安森美
描述:
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
规格说明书:
NSVBAS21HT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.34463 3.34
10 2.721708 27.22
100 1.441797 144.18

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 250 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BAS2103WE6327HTSA1 Infineon Technologies ¥3.23000 直接

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NSVBAS21HT1G

型号:NSVBAS21HT1G

品牌:ON安森美

描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

库存:0

单价:

1+: ¥3.34463
10+: ¥2.721708
100+: ¥1.441797
500+: ¥0.94893
1000+: ¥0.64529
3000+: ¥0.581978
6000+: ¥0.506071
15000+: ¥0.430164
30000+: ¥0.417743

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