库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥30.934722 | ￥30.93 |
| 10 | ￥27.825086 | ￥278.25 |
| 100 | ￥22.800059 | ￥2280.01 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | Depletion |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 14.6 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 325 pF @ 25 V |
| FET 功能: | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值）: | 60W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 70 |
IXTY08N100D2
型号：IXTY08N100D2
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
库存：0
单价：
| 1+： | ￥30.934722 |
| 10+： | ￥27.825086 |
| 100+： | ￥22.800059 |
| 500+： | ￥19.409325 |
| 1000+： | ￥16.369367 |
| 2000+： | ￥15.944164 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥30.93