库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥62.354354 | ￥62.35 |
| 10 | ￥55.954795 | ￥559.55 |
| 100 | ￥45.848292 | ￥4584.83 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | STripFET™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 85 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6750 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 330W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | ¥24.88000 | 类似 |
| FDP047N08 | onsemi | ¥27.34000 | 类似 |
| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥25.80000 | 类似 |
| IRF3808PBF | Infineon Technologies | ¥24.42000 | 类似 |
| IRF2907ZPBF | Rochester Electronics, LLC | ¥28.18000 | 类似 |
STP160N75F3
型号：STP160N75F3
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥62.354354 |
| 10+： | ￥55.954795 |
| 100+： | ￥45.848292 |
| 500+： | ￥39.029697 |
| 1000+： | ￥37.405289 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥62.35